CY7C1306BV25-100BZC,CY7C1306BV25-100BZC pdf中文资料,CY7C1306BV25-100BZC引脚图,CY7C1306BV25-100BZC电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1306BV25-100BZC: 产品描述QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小247KB，共19页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1306BV25-100BZC概述

QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165

CY7C1306BV25-100BZC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	220
电源	1.5/1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	2.4 V
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

CY7C1306BV25-100BZC相似产品对比

	CY7C1306BV25-100BZC	CY7C1306BV25-133BZC	CY7C1303BV25-133BZC	CY7C1303BV25-100BZC
描述	QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数	165	165	165	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	133 MHz	100 MHz
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	36	36	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165
字数	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	512000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	220	220	220	220
电源	1.5/1.8,2.5 V	1.5/1.8,2.5 V	1.5/1.8,2.5 V	1.5/1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最小待机电流	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅

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