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IS42S32400E-6BLI: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小760KB，共60页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS42S32400E-6BLI概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

IS42S32400E-6BLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e1
长度	13 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	8 mm

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描述	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	TSOP2	BGA	BGA	BGA	TSOP2	TSOP2
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数	90	86	90	90	90	86	86
Reach Compliance Code	compliant	compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	3A991	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	143 MHz	143 MHz	166 MHz	143 MHz	143 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PDSO-G86	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86
JESD-609代码	e1	e3	e1	e1	e1	e3	e3
长度	13 mm	22.22 mm	13 mm	13 mm	13 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	86	90	90	90	86	86
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	105 °C	85 °C	85 °C	105 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	BGA90,9X15,32	TSSOP86,.46,20	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.18 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.18 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10	10
宽度	8 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm	8 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-	-

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