Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT70908L25PF8

文档预览

IDT70908L25PF8: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小181KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT70908L25PF8概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70908L25PF8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HIGH-SPEED 64K x 8

SYNCHRONOUS

DUAL-PORT STATIC RAM

Features:

PRELIMINARY

IDT70908S/L

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

Commercial: 20/25/30ns (max.)

Low-power operation

IDT70908S

Active: 950mW (typ.)

Standby: 5mW (typ.)

IDT70908L

Active: 950mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Flow-Through output mode.

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

4ns setup to clock and 1ns hold on all control, data,

and address inputs

Data input, address, and control registers

Fast 20ns clock to data out

Self-timed write allows fast cycle time

25ns cycle time, 40MHz operation

Separate upper-byte and lower-byte control for

multiplexed bus and bus matching compatibility

TTL- compatible, single 5V (±10%) power supply

Industrial temperature range (40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in 84-pin Pin Grid Array (PGA) and 100-pin Thin

Quad Flatpack (TQFP) packages

Functional Block Diagram

R/W

I/O

- I/O

I/O

- I/O

I/O

Control

I/O

Control

15L

CLK

ADS

CNTEN

CNTRST

Counter/

Address

Reg.

MEMORY

ARRAY

Counter/

Address

Reg.

15R

CLK

ADS

CNTEN

CNTRST

3200 drw 01

JUNE 1999

DSC 3200/8

IDT70908L25PF8相似产品对比

	IDT70908L25PF8	IDT70908S30PF	IDT70908S30PF9	IDT70908S30PF8	IDT70908L30PF9	IDT70908S25PF9	IDT70908S25PF8	IDT70908L25PF9	IDT70908L30PF8
描述	Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	LFQFP,
针数	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	25 ns	25 ns	25 ns	30 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

推荐资源

通用数字显示计数器电路

常用非正弦振荡器电路、波形及频率计算公式-方波振荡器-自激多谐振荡器

塑料热合机控制电路

电热毯循环定时器电路

DT16-28型粗镗电气原理图电路（3）（PC输入、输出点分配）

反极性驱动电路

LM3S9B92只用于USB HOST模式下USB0_VBUS和USB0_ID设置: LM3S9B92用于USB HOST模式下USB0_VBUS和USB0_ID是否必须要连接到VCC和GND吗？我看了文档说在HOST模式下可以做普通GPIO口使用，但是不知道怎么使用希望有TI专家帮忙解答一下！谢谢！...; flyingcys 微控制器 MCU

PLC学习方法: 建议有的初学者在理论上花了很多功夫，结果半年下来还是没有把PLC搞懂，其实他们只是缺少了一些PLC的实践经验，只要再进行一些实际的梯形图编写、程序下载、调试等操作，增加对PLC的感性认识， ......; 工控老司机单片机

大伙收到TI的奖品没？【立即体检全新升级的myTI 账户】: 看图，刚刚收到提示 211302 ...; fxyc87 模拟与混合信号

单片机能实现FTP或者TFTP吗？: 本人使用LCP2368的ARM7内核8位单片机，不知道能否实现FTP或者TFTP的功能。他只有512K的Flash，有不能做外扩。请大大指教！...; laoting 嵌入式系统

怎么用FPGA实现多路信号综合成一路信号？: 将多路的数字信号综合成一路信号再将此信号送入DAC转化成模拟信号应用...; skdarkness 嵌入式系统

滤波器的设计实现: 图中的波形里面存在100mv左右的噪声，水平线的电压为2V，能否通过一阶的有源滤波器将噪声滤除到10mv以下，或者更低（前提是尽量不能让两个峰值电压衰减（这两个峰值用来检测的，峰值电压减小的 ......; S3S4S5S6 模拟电子

汽车电子锁屏蔽器到底有多可怕

干扰器是一种信号屏蔽器，主要是由一块芯片和一个无线电发射装置组成。当车主按下遥控器锁门键时，干扰器通过发射与汽车遥控器相同的频率来干扰电子锁接收遥控器信号，使汽车服务器得不到锁门的命令，车主锁门时，虽然也会听到“咔嗒”的声音，但车门并没有真正锁上。待车主误认为车门已锁(其实车门未锁)离开后，嫌疑人将车门打开实施盗窃在过去的几年里，有上百起案件报告了手提包，钱包，公文包和行李被盗，上述所有情...[详细]
台积电遭 28 名美国亚利桑那工厂员工起诉

8 月 25 日消息，台积电作为全球领先的芯片代工制造商，其在美国亚利桑那州建设芯片制造工厂的决定备受瞩目。台积电主要为无晶圆厂（fabless）的芯片设计公司生产芯片，这些公司包括苹果、英伟达、高通、联发科、博通和 AMD 等科技巨头。美国一直渴望在半导体领域实现自给自足，而台积电的这一举措被视为重要一步。特朗普政府为台积电在美国建厂铺平了道路，拜登总统则通过签署《芯片与科学法案》提供了数十...[详细]
整合芯片、软件及平台为一体的可穿戴式设计

For healthcare professionals, accurate diagnosis and treatment are crucial for a clear picture of a person's health. However, healthcare professionals often rely on tests at medical facilities, cli...[详细]
LED损坏原因及延长寿命方法讨论

　　白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。　　造成LED损坏的原因主要有：　　①供电电压的突然升高。　　②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。　　③某个LED因为自身的质量原因损...[详细]
速腾聚创：ADAS激光雷达收入下降，但机器人业务扛起大旗

毛利率从去年上半年的13.6%跃升至25.9%，几乎同比翻倍。 8月21日，速腾聚创发布了中期业绩报告，其中毛利率的增长非常亮眼。财报显示，速腾聚创今年上半年收今年第二季度达到了27.7%。其中 ADAS 的毛利率为19.4%，机器人及其他为41.5%，毛利率已经连续第6个季度稳步上升。在电话会上，速腾聚创CEO邱纯潮在业绩会上透露，在L4全球领域的领先企业中，速腾聚创合作的...[详细]
智驭未来出行，臻测安全新境：罗德与施瓦茨亮相汽车测试盛会ATE 2025

8月27日，汽车测试及质量监控博览会(以下简称“ATE 2025”)即将拉开帷幕。罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）在本次展会上，围绕“智驭未来出行，臻测安全新境”主题，展示汽车测试相关六大解决方案，覆盖车外通信、车内网络、车外感知、以及整车验证等全测试场景。R&S旨在通过前沿、精准且高度可靠的测试解决方案，为智能网联汽车从研发到量产的每一环节提供强大的技术支撑，助力客户克服新技术挑战、提升安全...[详细]
电池工厂投产，市场未到：BlueOval SK面临需求落差

2025年夏天，福特与SK On合资的BlueOval SK在肯塔基的首座电池工厂正式投产。按照最初的设想，这里将是福特电动化战略的心脏，承载着F-150 Lightning和E-Transit的续航升级，也象征着美国电池产业链的“回流”。但现实远不如蓝图乐观：工厂的产能利用率不足一半，原计划的岗位缩减近千个，市场对电动车的需求放缓，补贴与政策红利也在逐渐收窄。在这座工厂开出的...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在 AI / HPC 芯片代工市场的竞争力。单元 (Cell) 是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的 6T 库、7.5T 库）。三星的 ...[详细]
电动汽车需要像燃油车一样进行提前热车吗

对于热车来说，最早是源于燃油车，热车可以让发动机能够更好的进入比较好的工作状态，确保发动机能够有好的润滑条件，这也成为了开车出门前大部分人都有“热车”的习惯。而对于电动汽车来说，没有发动机等油路系统，那么需要提前热车吗？根据电动汽车的构造来说，电动汽车是由三电等部件组成，根据电动汽车的使用环境来说，确定是否需要提前热车，电动汽车采用的是锂电池，根据锂电池的特性来说，在低温的时候会因为温度导...[详细]
Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计，采用高效率氮化镓芯片

PowiGaN在轻载和满载时均实现95%高效率，满足关键的运行和安全功能需求澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞， 2025年8月22日讯 –Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时，37支学生队伍已整装待发，将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛，穿越澳洲内陆地区。该套件型号为RDK-85SLR，采用了PI™公司一款集成Po...[详细]
因承诺额外投资：消息称美国政府不计划取得台积电、美光股权

8 月 22 日消息，《华尔街日报》当地时间 21 日报道称，美国新一届政府不计划取得半导体晶圆代工巨头台积电和三大存储原厂之一美光的股权，因为这两家此前获得《CHIPS》法案补贴的企业均承诺了在美额外投资。美国商务部长卢特尼克本周早些时候表示，美国政府计划取得英特尔约 10% 的股权，并考虑将这一“补贴转股”模式扩大到其它半导体企业上。不过一位不愿透露姓名的政府官员表示，只有那些未承诺追加投...[详细]
车规芯片掀 “中国速度”，ST未来三年将推70款车规MCU

“目前，针对EMB线控制动的专用芯片，我们成功推出第一版产品。第二代样品也已顺利成型，现阶段正积极规划第三代高度集成的解决方案，期望在实现成本优化的同时，进一步提升其安全性。”日前，意法半导体（ST）在上海扩建升级的新能源汽车创新中心正式向媒体开放的当日，ST中国区汽车电子&上海新能源汽车创新中心应用总监姜炯迪向盖世汽车透露道。而这，亦不过是ST面向中国新能源汽车创新的众多...[详细]
快速入门 | 篇十五：运动控制器运动缓冲简介

之前正运动技术与大家分享了，运动控制器的固件升级、ZBasic程序开发、ZPLC程序开发、与触摸屏通讯和输入/输出IO的应用、运动控制器数据与存储的应用、运动控制器ZCAN、EtherCAT总线的使用、示波器的应用、多任务运行的特点、运动控制器中断的应用、U盘接口的使用、ZDevelop 编程软件的使用以及运动控制器的基础轴参数与基础运动控制指令等。今天，我们来讲解一下正运动技术运动控制器...[详细]
基于Nordic nRF54L15 SoC的智能球技术提升迷你高尔夫游戏体验

Puttshack 的 Trackaball 以 Nordic nRF54L15 系统级芯片 (SoC) 监控传感器并实现低功耗蓝牙连接，并以nPM2100 电源管理集成电路(PMIC)节省耗电挪威奥斯陆 – 2025年8月21日 – 电子娱乐与酒店连锁品牌Puttshack推出升级版本智能高尔夫球追踪技术，该技术基于Nordic Semiconductor下一代nRF54L15系统级芯片...[详细]
完整解决方案打包奉送：多点触控智能家居平台软硬件实现

　　绪论　　近年来，多点触控(Multi-Touch)成为了代替人机交互传统方式的新方式。它抛弃了键盘，鼠标，实现了多人同时交互，是人机交互的一场革命性创新。但可惜的是，该项技术还处在初级阶段，Multi-Touch的产品很多还只是面向高端或军工用户，价格十分高昂。这对广大消费者来说都是不能承受的。此外，目前基于Multi-Touch应用的软件业相当较少，且大多数停留在游戏娱乐的功能上，这样也...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多