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IRFH5302TRPBF

产品描述HEXFET Power MOSFET
文件大小203KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFH5302TRPBF概述

HEXFET Power MOSFET

IRFH5302TRPBF相似产品对比

IRFH5302TRPBF IRFH5302PBF IRFH5302TR2PBF
描述 HEXFET Power MOSFET HEXFET Power MOSFET HEXFET Power MOSFET
零件包装代码 - QFN QFN
包装说明 - FLATPACK, R-PQFP-N5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数 - 8 8
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) - 130 mJ 130 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) - 32 A 32 A
最大漏源导通电阻 - 0.0035 Ω 0.0035 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PQFP-N5 R-PDSO-N5
元件数量 - 1 1
端子数量 - 5 5
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLATPACK SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 400 A 400 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子位置 - QUAD DUAL
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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