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HY5DU12822BT-M

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
产品类别存储    存储   
文件大小279KB，共35页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5DU12822BT-M概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU12822BT-M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
针数66
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.225 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.194 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.38 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

HY5DU12822BT-M相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 DDR DRAM, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 DDR DRAM, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46
针数 66 66 66 66 66 66
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
长度 22.225 mm 22.225 mm 22.225 mm 22.225 mm 22.225 mm 22.225 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 8 16 16 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 66 66 66 66 66 66
字数 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 64000000 64000000 32000000 32000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX8 64MX8 32MX16 32MX16 128MX4 128MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.194 mm 1.194 mm 1.194 mm 1.194 mm 1.194 mm 1.194 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.38 mA 0.38 mA 0.38 mA 0.38 mA 0.38 mA 0.38 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

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