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IDT7MB1041S35K

产品描述Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 35ns, CMOS
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文件大小218KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MB1041S35K概述

Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 35ns, CMOS

IDT7MB1041S35K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XQMA-P120
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量4
端子数量120
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QIP
封装等效代码QUIP120(UNSPEC)
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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