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IDT7MB1008S55K

产品描述Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 55ns, CMOS, PQIP132
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文件大小753KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MB1008S55K概述

Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 55ns, CMOS, PQIP132

IDT7MB1008S55K规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQIP-P132
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度16
端口数量2
端子数量132
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QIP
封装等效代码QI132,2.1/2.3,100
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.065 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.62 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30

IDT7MB1008S55K相似产品对比

IDT7MB1008S55K IDT7MB1008S45K
描述 Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 55ns, CMOS, PQIP132 Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 45ns, CMOS, PQIP132
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最长访问时间 55 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQIP-P132 R-PQIP-P132
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度 16 16
端口数量 2 2
端子数量 132 132
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32KX16 32KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QIP QIP
封装等效代码 QI132,2.1/2.3,100 QI132,2.1/2.3,100
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.065 A 0.065 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.62 mA 0.62 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30

 
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