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HY62QF16201ALLM-70

产品描述Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48
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文件大小205KB,共13页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62QF16201ALLM-70概述

Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48

HY62QF16201ALLM-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明FBGA,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)2.8 V
最小供电电压 (Vsup)2.2 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM

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HY62UF16201A/ HY62QF16201A/ HY62EF16201A/
HY62SF16201A Series
128Kx16bit full CMOS SRAM
PRELIMINARY
DESCRIPTION
The HY62UF16201A / HY62QF16201A /
HY62EF16201A / HY62SF16201A is a high
speed, super low power and 2Mbit full CMOS
SRAM organized as 131,072 words by 16bits. The
HY62UF16201A
/
HY62QF16201A
/
HY62EF16201A / HY62SF16201A uses high
performance full CMOS process technology and
is designed for high speed and low power circuit
technology. It is particularly well-suited for the
high density low power system application. This
device has a data retention mode that guarantees
data to remain valid at a minimum power supply
voltage of 1.5V.
FEATURES
Fully static operation and Tri-state output
TTL compatible inputs and outputs
Battery backup(LL/SL-part)
- 1.5V(min) data retention
Standard pin configuration
- 48ball CSP
Product
Voltage
Speed
Operation
Standby Current(uA)
No.
(V)
(ns)
Current(mA)
LL
SL
HY62UF16201A
3.0
55/70/85
15
10
2
HY62UF16201A-I
3.0
55/70/85
15
10
2
HY62QF16201A
2.5
70/85/100
10
10
2
HY62QF16201A-I
2.5
70/85/100
10
10
2
HY62EF16201A
2.0
85/100/120
10
10
2
HY62EF16201A-I
2.0
85/100/120
10
10
2
HY62SF16201A
1.8
100/120/150
10
10
2
HY62SF16201A-I
1.8
100/120/150
10
10
2
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature
2. Current value is max.
Temperature
(°C)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
PIN CONNECTION
(Top View )
ADD INPUT
BUFFER
A1,A2
A4, A6~A7
A9
BLOCK DIAGRAM
SENSE AMP
ROW
DECODER
I/O1
PRE-DECODER
IO9 /UB A3
IO10 IO11 A5
Vss IO12 NC
Vcc IO13 NC
A4
A6
A7
/CS IO1
IO2 IO3
IO4 Vcc
A13
A14
A0
A3
A5
A11
/CS
/OE
/LB
/UB
/WE
ADD INPUT
BUFFER
BLOCK
DECODER
MEMORY ARRAY
512x128x32
WRITE DRIVER
A10
ADD INPUT
BUFFER
OUTPUT
BUFFER
A15~A16
A8
COLUMN
DECODER
/LB
/OE A0
A1
A2
NC
A12
I/O8
I/O9
A16 IO5 Vss
I/O16
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
IO16 NC
NC
A8
A12 A13 /WE IO8
A9
A10 A11 NC
PIN DESCRIPTION
Pin Name
/CS
/WE
/OE
/LB
/UB
Pin Funtion
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)
Upper Byte Control(I/O9~I/O16)
Pin Name
I/O1~I/O16
A0~A16
Vcc
Vss
NC
Pin Funtion
Data Input/Output
Address Input
Power(3.0V/2.5V/2.0V/1.8V)
Ground
No Connection
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
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