电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM51W18160TT-6

产品描述Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
产品类别存储    存储   
文件大小437KB,共33页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HM51W18160TT-6概述

Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

HM51W18160TT-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44/50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

文档预览

下载PDF文档
HM51W16160 Series
HM51W18160 Series
1048576-word
×
16-bit Dynamic RAM
ADE-203-635C (Z)
Rev. 3.0
Feb. 21, 1997
Description
The Hitachi HM51W16160 Series, HM51W18160 Series are CMOS dynamic RAMs organized as 1,048,576-
word
×
16-bit. They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power.
The HM51W16160 Series, HM51W18160 Series offer Fast Page Mode as a high speed access mode. They
have package variations of 42-pin plastic SOJ and 50-pin plastic TSOP
II
Features
Single 3.3 V (±0.3 V)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode : 396 mW/360 mW/324 mW (max) (HM51W16160 Series)
684 mW/612 mW/540 mW (max) (HM51W18160 Series)
Standby mode : 7.2 mW (max)
: 0.54 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
Refresh cycles
4096 refresh cycles : 64 ms (HM51W16160 Series)
: 128 ms (L-version)
1024 refresh cycles : 16 ms (HM51W18160 Series)
: 128 ms (L-version)
4 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
2CAS-byte control
Battery backup operation (L-version)

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 373  1107  1220  2774  1539  23  1  5  22  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved