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IDT7M4013S35NHB

产品描述SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CPMA66
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文件大小207KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M4013S35NHB概述

SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CPMA66

IDT7M4013S35NHB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码S-CPMA-P66
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX32
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
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