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HYB39S256800DE-7

产品描述Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共61页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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HYB39S256800DE-7概述

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

HYB39S256800DE-7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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Data Sheet, Rev. 1.30, Feb. 2006
HYB39S256400D[C/T](L)
HYB39S256800D[C/T](L)
HYB39S256160D[C/T](L)
256-MBit Synchronous DRAM
SDRAM
Memory Products
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