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MBN800D33B

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共1页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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MBN800D33B概述

Insulated Gate Bipolar Transistor

MBN800D33B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PUFM-X9
端子数量9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

MBN800D33B相似产品对比

MBN800D33B MBN1800D17C
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
Reach Compliance Code unknown unknown
JESD-30 代码 R-PUFM-X9 R-PUFM-X9
端子数量 9 9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER

 
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