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MJD13003-1

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-251
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小133KB,共12页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJD13003-1概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-251

MJD13003-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)5
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)15 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)4 MHz

MJD13003-1相似产品对比

MJD13003-1 MJD13003T4
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-251 1.5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
Reach Compliance Code unknown not_compliant
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
配置 Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
表面贴装 NO NO
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 10 MHz
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