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MRF182R1

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 360B-05, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小148KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF182R1概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 360B-05, 3 PIN

MRF182R1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)74 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF182/D
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral
MOSFETs
High Gain, Rugged Device
Broadband Performance from HF to 1 GHz
Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common
Mode Inductances
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
D
1.0 GHz, 30 W, 28 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
LIFETIME BUY
CASE 360B–05, STYLE 1
NI–360
MRF182R1
G
S
CASE 360C–05, STYLE 1
NI–360S
MRF182SR1
Rating
Drain–Source Voltage
Gate–Source Voltage
Total Device Dissipation @ T
C
= 70°C
Derate above 70°C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Symbol
V
DSS
V
GS
P
D
T
stg
T
J
Value
65
±20
74
0.57
– 65 to +150
200
Unit
Vdc
Vdc
W
W/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Max
1.75
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 1.0
mAdc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
65
1
1
Vdc
µAdc
µAdc
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 11
MOTOROLA RF
Motorola, Inc. 2002
DEVICE DATA
MRF182R1 MRF182SR1
1
LAST ORDER 31JUL04
MAXIMUM RATINGS
LAST SHIP 31JAN05
RF Power
Field Effect Transistors
MRF182R1
MRF182SR1
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