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MBM150GS12AW

产品描述IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小379KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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MBM150GS12AW概述

IGBT

MBM150GS12AW规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压1200 V
门极-发射极最大电压20 V
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)800 W
VCEsat-Max3.4 V

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Status List
M:Mass
production
W:Working
sample
A:Abolition
Date:Jul. 2005
KS05013
High-Voltage High-Power Series
Absolute Maximum Ratings
Connection
Type
V
CES
(V)
MBN900D45A
MBN800E33D
MBN1200E33D
MBN1200D33C
MBN600C33A
Single
MBN400C33A
MBN1200E25C
MBN600D20
MBN400D20
MBN1200E17D
MBN1600E17D
MBN1600EB17D
MBN1800E17D
MBN2400E17D
MBL800D33C
Chopper
MBL800E33D
MBL1200E17D
4,500
3,300
3,300
3,300
3,300
3,300
2,500
2,000
2,000
1,700
1,700
1,700
1,700
1,700
3,300
3,300
1,700
V
RRM
(V)
Diode
MDN1200D33
MDM800E33D
3,300
3,300
I
C
(A)
900
800
1,200
1,200
600
400
1,200
600
400
1,200
1,600
1,600
1,800
2,400
800
800
1,200
I
F
(A)
1,200
800
-
-
-
-
P
C
(W)
-
-
11,500
12,000
5,800
4,000
12,000
4,000
3,000
-
-
-
-
-
8,000
-
-
V
CE(sat)
(V)Typ.
5.5
4.2
4.2
4.8
4.5
4.5
2.9
4.4
4.2
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
4.1
4.2
2.7
V
F
(V)Typ.
3.2
2.0
Characteristics
t
on
(µs)Max.
2.2
2.4
3.3
3.8
4.0
3.2
4.2
2.5
2.6
0.9
1.2
1.2
1.2
1.6
3.8
2.4
1.6
-
-
-
-
t
off
(µs)Max.
3.6
3.0
5.1
5.6
6.0
5.3
6.4
5.9
5.9
1.4
1.9
1.9
1.5
2.0
5.6
3.0
1.7
-
-
-
-
t
f
(µs)Max.
1.6
1.9
2.5
3.2
3.2
2.8
3.2
2.7
2.4
0.6
0.7
0.7
0.7
1.1
1.4
1.9
0.9
t
fr
(µs)Max.
0.8
0.6
N-3
M -10
M
M
N−1
N -10
N−9
N-1
N-2
N-3
N-9
N-3
N-4
N -10
N -10
N -11
N−9
N−9
N-1
N−9
N -10
M
M
M
M
M
M
M
M
M
M
M
M
M
W
M
W
M
Outline
Status
Connection
Type
Outline
Status
1

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