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MBM29F040A-90PD-X

产品描述Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小652KB,共19页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29F040A-90PD-X概述

Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

MBM29F040A-90PD-X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明PLASTIC, LCC-32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
部门规模64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11.43 mm

MBM29F040A-90PD-X相似产品对比

MBM29F040A-90PD-X MBM29F040A-90PFTR-X MBM29F040A-12PFTN-X MBM29F040A-12PD-X
描述 Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 512KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 TSOP1, TSSOP32,.8,20 QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 90 ns 120 ns 120 ns
其他特性 MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 18.4 mm 18.4 mm 13.97 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 8 8 8 8
端子数量 32 32 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ TSOP1-R TSOP1 QCCJ
封装等效代码 LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.56 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.56 mm
部门规模 64K 64K 64K 64K
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 J BEND GULL WING GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 0.5 mm 0.5 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL QUAD
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 11.43 mm 8 mm 8 mm 11.43 mm

 
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