DM2242J2-12,DM2242J2-12 pdf中文资料,DM2242J2-12引脚图,DM2242J2-12电路-Datasheet-电子工程世界

DM2242J2-12: 产品描述Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28; 产品类别存储存储; 文件大小633KB，共17页; 制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation); 官网地址http://www.cypress.com/

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DM2242J2-12概述

Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
包装说明	SOJ, SOJ32,.34
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间	30 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 4 SRAM
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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