128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | OVER 10 YEARS DATA RETENTION |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-P32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| DS1745Y-150-IND | DS1745YLPM-150-IND | DS1745Y-150IND | DS1745Y-200IND | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Non-Volatile SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 150 ns | 200 ns |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 34 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | MODULE,34LEAD,1.0 | DIP32,.6 | DIP32,.6 |
| 封装形式 | IN-LINE | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 零件包装代码 | DIP | - | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 | - | DIP, DIP32,.6 | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数 | 32 | - | 32 | 32 |
| 其他特性 | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | - | DATA RETENTION = 10 YRS | DATA RETENTION = 10 YRS |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-P32 | - | R-PDIP-T32 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
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