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M5M51008BKR-12VLT

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 120ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
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文件大小291KB,共7页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M51008BKR-12VLT概述

Standard SRAM, 128KX8, 120ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32

M5M51008BKR-12VLT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码TSOP1
包装说明SOP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G32
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术MIXMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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