USF32: 产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小30KB，共2页; 制造商Rectron Semiconductor; 官网地址http://www.rectron.com/; 标准

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USF32概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

USF32规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rectron Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.9 V
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	125 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.02 µs
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

USF31

THRU

USF34

GLASS PASSIVATED ULTRAFAST RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 200 Volts CURRENT 3.0 Amperes

FEATURES

High reliability

Low leakage

Low forward voltage

High current capability

Super fast switching speed

High surge capability

Good for switching mode circuit

DO-201AD

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic

Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

Mounting position: Any

Weight: 1.18 grams

1.0 (25.4)

MIN.

.052 (1.3)

DIA.

.048 (1.2)

.375 (9.5)

.335 (8.5)

.220 (5.6)

.197 (5.0)

DIA.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

1.0 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

(At T

= 25

C unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Volts

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current

at T

= 55 C

Peak Forward Surge Current I

(surge):8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

SYMBOL

RRM

RMS

FSM

, T

STG

USF31

USF32

100

3.0

125

-55 to + 150

USF33

150

105

150

USF34

200

140

200

UNITS

Volts

Amps

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(At T

= 25 C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

NOTES : 1. Test Conditions: I

=0.5A, I

=-1.0A, I

=-0.25A.

2. Measured at 1 MH

and applied reverse voltage of 4.0 volts.

= 25

=100

SYMBOL

trr

USF31

USF32

0.95

uAmps

500

nSec

2004-5

REV: O

USF33

USF34

UNITS

Volts

USF32相似产品对比

	USF32	USF31	USF33
描述	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否无铅	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合
厂商名称	Rectron Semiconductor	-	Rectron Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
应用	SUPER FAST RECOVERY	-	SUPER FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.9 V	-	0.9 V
JEDEC-95代码	DO-201AD	-	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	-	e3
湿度敏感等级	1	-	1
最大非重复峰值正向电流	125 A	-	125 A
元件数量	1	-	1
相数	1	-	1
端子数量	2	-	2
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C
最大输出电流	3 A	-	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	ROUND
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	265	-	265
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	-	150 V
最大反向恢复时间	0.02 µs	-	0.02 µs
表面贴装	NO	-	NO
端子面层	MATTE TIN	-	MATTE TIN
端子形式	WIRE	-	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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