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SR8100C

产品描述8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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SR8100C概述

8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SR8100C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.77 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
SR8100C
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE 100 Volts CURRENT 8 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
*
*
*
Low switching noise
Low forward voltage drop
Low thermal resistance
High current capability
High switching capability
High surge capabitity
High reliability
.187 (4.7)
.148 (3.8)
.053 (1.3)
.047 (1.2)
TO-220
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: To-220 molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 2.24 grams
.108
(2.75)
.413 (10.5)
.374 (9.5)
.153 (3.9)
.146 (3.7)
.270 (6.9)
.230 (5.8)
.610 (15.5)
.583 (14.8)
.157
(4.0)
.051
(1.3)
.043 (1.1)
.035 (0.9)
.102 (2.6)
.091 (2.3)
.583 (14.8)
.531 (13.5)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
o
.022 (0.56)
.014 (0.36)
.126
(3.2)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at Derating Case Temperature
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JC
C
J
T
J
T
STG
SR8100C
100
70
100
8
150
2.5
450
-65 to + 150
-65 to + 150
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
0
C/ W
pF
0
0
C
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 4.0A DC
Maximum Average Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
C
= 25 C
@T
C
= 100
o
C
o
o
SYMBOL
V
F
I
R
SR8100C
.77
10
100
UNITS
Volts
mAmps
mAmps
2002-4
NOTES : 1. Thermal Resistance Junction to Case.
2. Suffix “A” = Common Anode.
3. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
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