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SM5817_07

产品描述1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小185KB,共4页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
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SM5817_07概述

1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
SM5817
THRU
SM5819
Ideal for surface mounted applications
Low leakage current
Metallurgically bonded construction
Mounting position: Any
Weight: 0.015 gram
MECHANICAL DATA
DISCONTINUED-
* Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0
D
ed
nu
ti
on
sc
i
.205 ( 5.2 )
.190 ( 4.8 )
SOLDERABLE
ENDS
.024 ( 0.6 )
.016 ( 0.4 )
.106 ( 2.7 )
.095 ( 2.4 )
MELF
"This series is replaced by the FM581X series that meets to the same
fit and function parameters and share the same solder pad layout.
The FM581X series is preferred for error-free vacuum pick-up and
PCB assembly."
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(@ T
A
=25
O
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current at
T
A
= 90
O
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(@T
A
=25
O
C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.1A DC
Maximum Average Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100
o
C
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
T
STG
SM5817
20
14
20
SM5818
30
21
30
1.0
25
110
150
-55 to + 150
SM5819
40
28
40
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
pF
0
0
C
C
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
SM5817
.45
.75
SM5818
.55
.875
0.2
10
SM5819
.60
.90
UNITS
Volts
Volts
mAmps
mAmps
2007-5
NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.

SM5817_07相似产品对比

SM5817_07 SM5817 SM5819 SM5818
描述 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor
零件包装代码 - MELF MELF MELF
包装说明 - ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
针数 - 2 2 2
Reach Compliance Code - _compli _compli _compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.45 V 0.6 V 0.55 V
JESD-30 代码 - O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
JESD-609代码 - e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 - 25 A 25 A 25 A
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 2 2 2
最高工作温度 - 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 - 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 20 V 40 V 30 V
表面贴装 - YES YES YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 - WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 - END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10 10
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