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RUE003N02

产品描述1.8V Drive Nch MOSFET
文件大小95KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RUE003N02概述

1.8V Drive Nch MOSFET

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RUE003N02
Transistor
1.8V Drive Nch MOSFET
RUE003N02
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
EMT3
Applications
Switching
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
Abbreviated symbol : QT
Packaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
RUE003N02
Taping
TL
3000
Equivalent circuit
Drain
Gate
∗2
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
2
Tch
Tstg
Limits
20
±8
±300
±600
150
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
∗1
Source
∗1
ESD PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
∗1
Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2
Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
833
Unit
°C
/ W
Rev.A
1/3

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