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JANJ2N2219A

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANJ2N2219A概述

Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin,

JANJ2N2219A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semicoa
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/251
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Data Sheet No. 2N2219A
Type 2N2219A
Geometry
0400
Polarity NPN
Qual Level: JAN - JANS
Features:
General-purpose transistor for
switching and amplifier applica-
tons.
Housed in
TO-39
case.
Also available in chip form using
the
0400
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/251
which
Semicoa meets in all cases.
The
Typ
values are actual batch
averages for Semicoa.
Generic Part Number:
2N2219A
REF: MIL-PRF-19500/251
TO-39
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
50
75
6.0
800
-65 to +200
-65 to +200
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

JANJ2N2219A相似产品对比

JANJ2N2219A
描述 Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin,
厂商名称 Semicoa
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/251
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
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