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UMT3904_1

产品描述NPN General Purpose Transistor
文件大小116KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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UMT3904_1概述

NPN General Purpose Transistor

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UMT3904 / SST3904 / MMST3904
Transistors
NPN General Purpose Transistor
UMT3904 / SST3904 / MMST3904
Features
1) BV
CEO
> 40V (I
C
= 1mA)
2) Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906.
Dimensions
(Unit : mm)
UMT3904
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
Package, marking and packaging specifications
Part No.
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit
(pieces)
UMT3904
UMT3
R1A
T106
3000
SST3904 MMST3904
SST3
R1A
T116
3000
SMT3
R1A
T146
3000
SST3904
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
MMST3904
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector
power
dissipation
UMT3904,
SST3904,
MMST3904
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limits
60
40
6
0.2
0.2
0.35
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
W
W
°C
°C
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
P
C
SST3904, MMST3904
Junction temperature
Storage temperature
When mounted on a 7 x 5 x 0.6 mm ceramic board.
Tj
Tstg
Electrical characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
60
40
6
-
-
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
50
50
0.2
0.3
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4
8
35
35
200
50
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
= 10µA
I
C
= 1mA
I
E
= 10µA
V
CB
= 30V
V
EB
= 3V
I
C
/I
B
= 10mA/1mA
I
C
/I
B
= 50mA/5mA
I
C
/I
B
= 10mA/1mA
I
C
/I
B
= 50mA/5mA
V
CE
= 1V , I
C
= 0.1mA
V
CE
= 1V , I
C
= 1mA
V
CE
= 1V , I
C
= 10mA
V
CE
= 1V , I
C
= 50mA
MHz
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 1V , I
C
= 100mA
V
CE
= 20V , I
E
=
−10mA,
f = 100MHz
V
CB
= 10V , f = 100kHz
V
EB
= 0.5V , f = 100kHz
V
CC
= 3V , V
BE(OFF)
= 0.5V , I
C
= 10mA , I
B1
= 1mA
V
CC
= 3V , V
BE(OFF)
= 0.5V , I
C
= 10mA , I
B1
= 1mA
V
CC
= 3V , I
C
= 10mA , I
B1
=
−I
B2
= 1mA
V
CC
= 3V , I
C
= 10mA , I
B1
=
−I
B2
= 1mA
Conditions
DC current transfer ratio
h
FE
~
-
Transition frequency
Collector output capacitance
Emitter input capacitance
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
f
T
Cob
Cib
td
tr
tstg
tf
Rev.B
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UMT3904_1相似产品对比

UMT3904_1 MMST3904 SST3904 UMT3904
描述 NPN General Purpose Transistor NPN General Purpose Transistor NPN General Purpose Transistor NPN General Purpose Transistor
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 - 3 3 3
Reach Compliance Code - compli compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 - 40 V 40 V 40 V
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 30 30 30
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e1 e1 e1
湿度敏感等级 - 1 1 1
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260
极性/信道类型 - NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) - 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES YES
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10 10
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 300 MHz 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) - 250 ns 250 ns 250 ns
最大开启时间(吨) - 70 ns 70 ns 70 ns
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