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UMA1N_1

产品描述−100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors)
文件大小56KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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UMA1N_1概述

−100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors)

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UMA1N / FMA1A
Transistors
−100mA
/
−50V
Complex digital transistors
(with built-in resistors)
UMA1N / FMA1A
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
3) Emitter-common type.
External dimensions
(Unit : mm)
UMA1N
2.0
1.3
0.65 0.65
0.9
0.7
(5) (4)
1.25
(1) (2) (3)
2.1
Structure
PNP epitaxial planar silicon transistor
(dual chips ; each with two built-in resistors)
0.2
0.15
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol
: A1
2.9
1.9
1.1
0.95
(2)
FMA1A
Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
0.95
0.8
UMT5
Taping
SMT5
Taping
(1)
TR
3000
T148
3000
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
(5)
(4)
(3)
Part No.
UMA1N
FMA1A
0.3
0.15
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol
: A1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
<For Tr1 and Tr2 in common>
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
I
C(MAX)
Limits
−50
−40
to +10
−30
−100
150(TOTAL)
∗1
300(TOTAL)
∗2
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
mA
mW
Equivalent circuits
UMA1N
(5)
DTr1
(4)
DTr2
R
1
R
2
R
2
R
1
(1)
FMA1A
(2)
(3)
UMA1N
FMA1A
(1) IN
(2) GND
(3) IN
(4) OUT
(5) OUT
Pd
Tj
Tstg
°C
°C
(1)
DTr1
(2)
DTr2
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
R
1
R
2
R
2
R
1
(5)
(4)
R
1
=22kΩ
R
2
=22kΩ
(3)
(1) OUT
(2) OUT
(3) IN
(4) GND
(5) IN
Rev.B
0.3Min.
Basic ordering
unit (pieces)
1.6
2.8
0.1Min.
1/2

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描述 −100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors) −100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors) −100mA / −50V Complex digital transistors (with built-in resistors)
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