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RB160VA-40_2

产品描述Schottky barrier diode
文件大小127KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB160VA-40_2概述

Schottky barrier diode

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RB160VA-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB160VA-40
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
0.17±0.1
  
0.05
1.3±0.05
Land size figure
(Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
Features
1) Small mold type. (TUMD2)
2) Low V
F
, Low I
R
.
3) High reliability.
TUMD2
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
0.8±0.05
ROHM : TUMD2
    0.1
dot (year week factory) + day
0.6±0.2
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.1
      0
0.25±0.05
3.5±0.05
8.0±0.2
1.43±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.2
     0
2.75
2.8±0.05
0.9±0.08
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
Forward current surge peak(t=100µs・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
1
5
10
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
A
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
0.50
1.5
Max.
0.55
50
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=700mA
V
R
=40V
Rev.D
0.8 0.5
2.0
1/3

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