电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RB095T-60_10

产品描述6 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小840KB,共7页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 全文预览

RB095T-60_10概述

6 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

文档预览

下载PDF文档
Schottky Barrier Diode
RB095T-60
Application
Switching power supply
Dimensions
(Unit : mm)
Datasheet
Structure
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low I
R
6
(1) (2) (3)
3) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute
maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
ot
Forward current surge peak (60Hz/1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
N
(*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=130°C
Electrical
characteristics
(Ta= 25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.58
300
3.0
Unit
V
A
°C/W
Conditions
I
F
=3A
V
R
=60V
junction to case
Thermal impedance
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
ROHM : TO220FN
1
Manufacture Date
Symbol
V
RM
V
R
Io
Limits
60
60
6
Unit
V
V
R
I
FSM
Tj
100
150
Tstg
40
to
150
1/4
or
A
A
°C
°C
2013.02 - Rev.E

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1044  1582  1575  2779  1371  4  27  9  47  38 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved