Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | KEC |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | R-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
KTD1863GR | KTD1863Y | KTD1863O | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
厂商名称 | KEC | KEC | KEC |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 | 120 | 70 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | R-PBCY-T3 | R-PBCY-T3 | R-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W | 1 W |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
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