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DTA123YE

产品描述-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTA123YE概述

-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)

DTA123YE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)33
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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-100mA / -50V Digital transistors
(with built-in resistors)
DTA123YE / DTA123YUA / DTA123YKA
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1)Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2)The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3)Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
Structure
PNP epitaxial planar silicon transistor
(Resistor built-in type)
Packaging specifications
Package
Package type
Code
Basic ordering
unit (pieces)
EMT3
UMT3
SMT3
Dimensions
(Unit : mm)
DTA123YE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
(2)
(1)
1.6
0.2
0.5 0.5
0.2
0.15
0.1Min.
ROHM : EMT3
1.0
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
Abbreviated symbol : 52
DTA123YUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
1.25
(2)
(1)
2.1
0.65 0.65
1.3
0.15
0.1Min.
Taping
TL
3000
Taping
T106
3000
Taping
T146
3000
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
Abbreviated symbol : 52
2.9
Each lead has same dimensions
1.1
0.4
0.8
Part No.
DTA123YE
DTA123YUA
DTA123YKA
DTA123YKA
(2)
(3)
(1)
1.6
2.8
0.95 0.95
Absolute maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
I
C(Max.)
P
D
Tj
Tstg
150
150
−55
to
+150
Limits
DTA123YE DTA123YUA DTA123YKA
−50
−12
to
+5
−100
−100
200
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
R
1
IN
R
2
0.15
1.9
0.3Min.
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
Abbreviated symbol : 52
Each lead has same dimensions
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Inner circuit
OUT
GND(+)
IN
GND(+)
OUT
R
1
=2.2kΩ R
2
=10kΩ
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2009.06 - Rev.B

DTA123YE相似产品对比

DTA123YE DTA123YE_09 DTA123YKA DTA123YUA
描述 -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli - compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5 - DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 33 - 33 33
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 - e1 e1
元件数量 1 - 1 1
端子数量 3 - 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260
极性/信道类型 PNP - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W - 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 - 10 10
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
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