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DTA114WUA

产品描述-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTA114WUA概述

-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)

DTA114WUA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)24
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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-100mA / -50V Digital transistors
(with built-in resistors)
DTA114WE / DTA114WUA / DTA114WKA
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter
circuit without connecting external input resistors.
2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete
isolation to allow positive biasing of the input, and parasitic
effects are almost completely eliminated.
3)Only the on / off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
4)Higher mounting densities can be achieved.
Structure
PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
Part No.
Dimensions
(Unit : mm)
EMT3
(SC-75A)
<SOT-416>
1.6
0.3
(3)
0.8
1.6
0.7
0.55
0.2
0.5 0.5
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
0.2
0.15
1.0
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : 74
UMT3
<SC-70>
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
1.25
(2)
(1)
2.1
0.1Min.
(2)
(1)
EMT3 UMT3 SMT3
Taping Taping Taping
TL
3000
T106
3000
T146
3000
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
0.65 0.65
1.3
0.15
Each lead has same dimensions
Basic ordering unit (pieces)
Abbreviated symbol : 74
DTA114WE
DTA114WUA
DTA114WKA
SMT3
<SC-59>
(3)
2.9
0.4
1.1
0.8
(2)
(1)
1.6
2.8
Inner circuit
IN
R
1
R
2
OUT
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
0.95 0.95
0.15
1.9
Each lead has same dimensions
GND(+)
IN
GND(+)
OUT
Abbreviated symbol : 74
R
1
=10kΩ, R
2
=4.7kΩ
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
0.3Min.
1/2
0.1Min.
2009.06 - Rev.C

DTA114WUA相似产品对比

DTA114WUA DTA114WKA DTA114WE_09 DTA114WE
描述 -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compliant - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 - DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V - 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 24 24 - 24
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e1 - e1
元件数量 1 1 - 1
端子数量 3 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260
极性/信道类型 PNP PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W - 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES - YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
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