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RB085B-90

产品描述5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小457KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB085B-90概述

5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RB085B-90规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-63
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.83 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流45 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压90 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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Schottky Barrier Diode
RB085B-90
Application
General rectification
Dimensions(Unit
: mm)
Land size figure(Unit
: mm)
6.0
6.0
3)High reliability
CPD
2.3
2.3
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
Manufacture Date
Structure
(2)
(1) (3)
Taping dimensions(Unit
: mm)
Symbol
Reverse voltage (repetitive peak)
V
RM
Reverse voltage (DC)
V
R
Average rectified forward current(*1)
Io
Forward current surge peak(60Hz / 1cyc)(*1)
I
FSM
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, Tc=85°C Max.
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Limits
90
90
10
45
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristic(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
3.0 2.0
Features
1)Power mold type.(CPD)
2)Low V
F
1.6
1.6
Symbol
V
F
I
R
θjc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.83
150
6.0
Unit
V
µA
°C/W
Conditions
I
F
=5.0A
V
R
=90V
junction to case
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.11 - Rev.C

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RB085B-90 RB085B-90_09
描述 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

 
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