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RB085T-90_10

产品描述10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小438KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB085T-90_10概述

10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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Data Sheet
Schottky barrier diode
RB085T-90
Applications
Switching power supply
Dimensions
(Unit : mm)
Structure
3) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
ot
Absolute
maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
N
Average rectified forward current (*1)
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)
Junction temperature
Storage temperature
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=122C
Electrical
characteristic
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
9
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low I
R
R
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
90
90
10
100
150
40
to
150
Unit
V
V
A
A
C
C
Symbol
V
F
I
R
jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.83
150
2.5
Unit
V
A
C/W
1/3
or
(1) (2) (3)
Conditions
I
F
=5A
V
R
=90
junction to case
2011.04 - Rev.D
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