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RB075B40S_09

产品描述5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小433KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB075B40S_09概述

5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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Schottky barrier diode
RB075B40S
Applications
General rectification
Dimensions(Unit
: mm)
Land size figure
(Unit : mm)
6.0
3)High reliability
CPD
2.3 2.3
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
(2)
(1)
(3)
Taping specifications
(Unit : mm)
Symbol
Reverse voltage (repetitive peak)
V
RM
Reverse voltage (DC)
V
R
Average rectified forward current(*1)
Io
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)
I
FSM
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1)Business frequencies,Rating of R-load,Tc=125°C MAX
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Limits
40
40
5
45
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristic(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.75
5.0
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=5.0A
V
R
=40V
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.11 - Rev.A
3.0
Features
1)Power mold type.(CPD)
2)Low I
R
2.0
1.6
1.6
6.0

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描述 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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