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RB081L-20

产品描述5 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小161KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB081L-20概述

5 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RB081L-20规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB081L-20
Diodes
Schottky barrier diode
RB081L-20
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
2.0
2.6±0.2
0.1±0.02
    0.1
5.0±0.3
3
9
4.5±0.2
Features
1) Small power mold type. (PMDS)
2) Low V
F
, Low I
R
.
3) High reliability.
2.0
1.2±0.3
PMDS
1.5±0.2
2.0±0.2
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : PMDS
JEDEC : SOD-106
Manufacuture Date
Taping specifications(Unit
: mm)
2.0±0.05
4.0±0.1
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.3
5.5±0.05
φ1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive peak)
V
RM
Reverse voltage (DC)
V
R
Average rectified forward current (*1)
Io
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
I
FSM
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Mounted on epoxy board. 180°Harf sine wave
Limits
25
20
5
70
125
-40 to +125
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.45
700
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=0.5A
V
R
=20V
5.3±0.1
 
0.0 5
9.5±0.1
Unit
V
V
A
A
12±0.2
4.2
Rev.B
1/3

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