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RB050LA-30_09

产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小185KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB050LA-30_09概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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Schottky Barrier Diode
RB050LA-30
●Applications
General rectification
●Dimensions
(Unit : mm)
0.2±0.15
    0.1
●Land
size figure(Unit : mm)
2.0
1.4
2.6±0.2
3.8±0.2
4.7±0.3
PMDT
●Construction
Silicon epitaxial planar
1.5±0.2
0.95±0.1
●Structure
ROHM : PMDT
Manufacture Date
●Taping
specifications(Unit : mm)
2.0±0.05
4.0±0.1
1.75±0.1
φ1.55±0.1
      0
0.25±0.05
1.4
●Features
1)Small and thin power mold type.(PMDT)
2)Low I
R
3)High reliability
5.5±0.05
12.0±0.2
φ1.55±0.1
      0
2.7±0.1
4.0±0.1
1.25±0.1
●Absolute
maximum ratings(Ta=25℃)
Limits
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive)
30
V
R
Reverse voltage (DC)
30
Average rectified forward current (*1)
3
Io
I
FSM
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
70
Junction temperature
150
Tj
Storage temperature
-55 to +150
Tstg
(*1)Tc=105℃max Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave
●Electrical
characteristics
(Ta=25℃)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.45
150
Unit
V
µA
I
F
=3.0A
V
R
=30V
Conditions
Parameter
Unit
V
V
A
A
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5.0±0.1
1/3
2009.02 - Rev.B
5.0±0.1
4.4

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