2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Rectron Semiconductor |
包装说明 | R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 100 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 265 |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 100 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
DB202S | DB205S | |
---|---|---|
描述 | 2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor |
包装说明 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 100 V | 600 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A |
元件数量 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 265 | 265 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 100 V | 600 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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