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DTD523YM

产品描述500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTD523YM概述

500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)

DTD523YM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-105
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)140
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)260 MHz

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500mA / 12V Low V
CE
(sat) Digital transistors
(with built-in resistors)
DTD523YE / DTD523YM
Applications
Inverter, Interface, Driver
Feature
1) V
CE
(sat) is lower than conventional products.
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see equivalent circuit).
3) The bias resistors consist of thin-film resistors
with complete isolation to allow negative biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
4) Only the on / off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
Dimensions
(Unit : mm)
DTD523YE
1.6
0.3
(3)
0.8
1.6
0.7
0.55
0.2
0.5 0.5
1.0
EMT3
JEITA No. (SC-75A)
JEDEC No. <SOT-416>
0.2
0.15
0.1Min.
(2)
(1)
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : X62
DTD523YM
0.2
0.8
1.2
1.2
0.32
(3)
Structure
NPN epitaxial plannar silicon transistor
(Resistor built-in type)
VMT3
0.2
0.22
(1)(2)
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
(1) IN
(2) GND
(3) OUT
Each lead has same dimensions
Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
Part No.
DTD523YE
DTD523YM
Basic ordering
unit (pieces)
EMT3
Taping
TL
3000
VMT3
Taping
T2L
8000
Abbreviated symbol : X62
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
∗1
∗2
Inner circuit
Limits
Unit
V
V
mA
mW
C
C
IN
GND
OUT
R
1
IN
R
2
GND
OUT
Symbol
V
CC
V
IN
I
C (max)
P
D
Tj
Tstg
DTD523YE DTD523YM
12
−5
to
+12
500
150
150
−55
to
+150
∗1
Characteristics of built-in transistor.
∗2
Each terminal mounted on a recommended land.
R
1
=2.2kΩ / R
2
=10kΩ
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2009.05 - Rev.B

DTD523YM相似产品对比

DTD523YM DTD523YE_09 DTD523YE
描述 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 SC-105 - SC-75A
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5 - BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5
最大集电极电流 (IC) 0.5 A - 0.5 A
集电极-发射极最大电压 12 V - 12 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 140 - 140
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e2 - e1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260
极性/信道类型 NPN - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 FLAT - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 - 10
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 260 MHz - 260 MHz
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