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DTC143EE

产品描述100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTC143EE概述

100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 50 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

DTC143EE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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100mA / 50V Digital transistors
(with built-in resistors)
DTC143EM / DTC143EE / DTC143EUA / DTC143EKA
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
3)Only the on/off conditions need to be set for operation, making the device design easy.
Structure
NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
Dimensions
(Unit : mm)
DTC143EM
0.2
1.2
0.32
(3)
DTC143EE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
(2)
(1)
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
0.2
0.2
0.5 0.5
ROHM : VMT3
(1) IN
(2) GND
(3) OUT
0.15
0.1Min.
0.2
0.22
(1)(2)
0.8
1.2
1.6
ROHM : EMT3
1.0
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
Abbreviated symbol : 23
Abbreviated symbol : 23
DTC143EUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTC143EKA
2.9
0.4
(3)
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.1Min.
1.3
0.15
0.95 0.95
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
0.15
1.9
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : 23
Abbreviated symbol : 23
Packaging specifications
Package
Packaging type
Part No.
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
Inner circuit
Taping
TL
3000
Taping
T2L
8000
Taping
T106
3000
Taping
T146
3000
R
1
IN
R
2
OUT
Code
Basic ordering
unit (pieces)
GND
DTC143EM
DTC143EE
DTC143EUA
DTC143EKA
IN
GND
OUT
R
1
=R
2
=4.7kΩ
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
0.3Min.
0.65 0.65
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
(2)
(1)
1.6
2.8
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
1/2
2009.06 - Rev.B

DTC143EE相似产品对比

DTC143EE DTC143EE_09 DTC143EUA DTC143EKA DTC143EM
描述 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
Reach Compliance Code compli - compli compli -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 -
其他特性 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 - DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 20 - 20 20 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e1 - e1 e1 -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 -
极性/信道类型 NPN - NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W - 0.2 W 0.2 W -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 - 10 10 -
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