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DTC114GUA

产品描述100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTC114GUA概述

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor)

DTC114GUA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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100mA / 50V Digital transistors
(with built-in resistor)
DTC114GUA / DTC114GKA
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1)The built-in bias resistors consist of thin-film resistors with complete
isolation to allow negative biasing of the input, and parasitic effects
are almost completely eliminated.
2)Only the on / off conditions need to be set for operation, making the
device design easy.
3)Higher mounting densities can be achieved.
Structure
NPN epitaxial planar silicon transistor
(Resistor built-in type)
Packaging specifications
Package
Packaging type
Code
Part No.
Basic ordering unit (pieces)
DTC114GUA
DTC114GKA
UMT3
Taping
T106
3000
SMT3
T146
3000
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
Abbreviated symbol : K24
Dimensions
(Unit : mm)
DTC114GUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
1.25
(2)
(1)
2.1
0.1Min.
0.3Min.
0.65 0.65
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
1.3
0.15
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : K24
DTC114GKA
2.9
0.4
(3)
1.1
0.8
Taping
(2)
(1)
0.95 0.95
0.15
1.9
1.6
2.8
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Each lead has same dimensions
Absolute maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
Limits
50
50
5
100
200
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Inner circuit
B
R
C
E
E : Emitter
C : Collector
B : Base
R=10kΩ
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2009.06 - Rev.C

DTC114GUA相似产品对比

DTC114GUA DTC114GKA DTC114GUA_09
描述 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor) 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor) 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor)
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Is Samacsys N N -
其他特性 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e1 e1 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
Base Number Matches 1 1 -
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