IDT70V05L15PFG,IDT70V05L15PFG pdf中文资料,IDT70V05L15PFG引脚图,IDT70V05L15PFG电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70V05L15PFG: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64; 产品类别存储存储; 文件大小158KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V05L15PFG概述

Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64

IDT70V05L15PFG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP64,.66SQ,32
针数	64
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	IDT SRAM Memory, IDT70V05L15PFG- 64kbit
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3
长度	14 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	64
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP64,.66SQ,32
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.0025 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm

IDT70V05L15PFG相似产品对比

	IDT70V05L15PFG	IDT70V05S25J	IDT70V05L15JG	IDT70V05L15JG8	IDT70V05L20PFGI	IDT70V05L20PFGI8	IDT70V05L15PFG8
描述	Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	LCC	LCC	LCC	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP64,.66SQ,32	0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	LQFP, QFP64,.66SQ,32	LQFP, QFP64,.66SQ,32	LQFP, QFP64,.66SQ,32
针数	64	68	68	68	64	64	64
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	25 ns	15 ns	15 ns	20 ns	20 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQFP-G64	S-PQFP-G64	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3	e0	e3	e3	e3	e3	e3
长度	14 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	1	1	1	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	64	68	68	68	64	64	64
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	QCCJ	QCCJ	QCCJ	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP64,.66SQ,32	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	QFP64,.66SQ,32	QFP64,.66SQ,32	QFP64,.66SQ,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	225	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.0025 A	0.005 A	0.0025 A	0.0025 A	0.005 A	0.005 A	0.0025 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.185 mA	0.19 mA	0.185 mA	0.185 mA	0.195 mA	0.195 mA	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	24.2062 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1

IDT70V05L15PFG

IDT70V05L15PFG概述

IDT70V05L15PFG规格参数

IDT70V05L15PFG相似产品对比

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