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IDT70T3509MS133BPG

产品描述Dual-Port SRAM, 1MX36, 15ns, CMOS, PBGA256, GREEN, BGA-256
产品类别存储    存储   
文件大小256KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT70T3509MS133BPG概述

Dual-Port SRAM, 1MX36, 15ns, CMOS, PBGA256, GREEN, BGA-256

IDT70T3509MS133BPG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.06 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率1.12 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
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