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HYE18P128160AF-12.5

产品描述Pseudo Static RAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54
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文件大小2MB,共60页
制造商QIMONDA
标准
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HYE18P128160AF-12.5概述

Pseudo Static RAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54

HYE18P128160AF-12.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA54,6X9,30
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间9 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B54
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,6X9,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.00025 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度6 mm

HYE18P128160AF-12.5相似产品对比

HYE18P128160AF-12.5 HYE18P128160AF-9.6
描述 Pseudo Static RAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 Memory IC, 8MX16, CMOS, PBGA54
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 QIMONDA QIMONDA
包装说明 VFBGA, BGA54,6X9,30 FBGA, BGA54,6X9,30
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 9 ns 7 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54
内存密度 134217728 bit 134217728 bit
内存宽度 16 16
端子数量 54 54
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C
组织 8MX16 8MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA FBGA
封装等效代码 BGA54,6X9,30 BGA54,6X9,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00025 A 0.00025 A
最大压摆率 0.035 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM

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