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IDT70914S20PF

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80
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文件大小107KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70914S20PF概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80

IDT70914S20PF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-80
针数80
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度36864 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量80
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP80,.64SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

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HIGH SPEED 36K (4K X 9)
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT RAM
Features
x
IDT70914S
x
x
x
High-speed clock-to-data output times
– Military: 20/25ns (max.)
– Commercial: 12/15/20ns (max.)
Low-power operation
– IDT70914S
Active: 850 mW (typ.)
Standby: 50 mW (typ.)
Architecture based on Dual-Port RAM cells
– Allows full simultaneous access from both ports
Synchronous operation
– 4ns setup to clock, 1ns hold on all control, data, and address
inputs
– Data input, address, and control registers
x
x
x
x
x
x
x
– Fast 12ns clock to data out
– Self-timed write allows fast cycle times
– 16ns cycle times, 60MHz operation
TTL-compatible, single 5V (+ 10%) power supply
Clock Enable feature
Guaranteed data output hold times
Available in 68-pin PLCC, and 80-pin TQFP
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds.
Recommended for replacement of IDT7099 (4K x 9) if
separate 9th bit data control signals are not required.
Functional Block Diagram
REGISTER
REGISTER
I/O
0-8L
WRITE
LOGIC
MEMOR
MEMORY
Y
ARRAY
ARRAY
WRITE
LOGIC
I/O
0-8R
SENSE
SENSE
AMPS DECODER DECODER AMPS
OE
L
CLK
L
CLKEN
L
Self-
timed
Write
Logic
REG
en
REG
en
OE
R
CLK
R
CLKEN
R
Self-
timed
Write
Logic
R/W
L
CE
L
REG
REG
R/W
R
CE
R
3490 drw 01
A
0L
-A
11L
A
0R
-A
11R
JANUARY 2001
1
©2000 Integrated Device Technology, Inc.
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