Mixer Diode, Low Barrier, C Band, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容 | 0.3 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.44 V |
频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | S-PXMW-F3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
肖特基势垒类型 | LOW BARRIER |
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