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MMBD4448W

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共7页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
标准
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MMBD4448W概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

MMBD4448W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称FORMOSA
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMD Switching Diode
MMBD4448W
List
Formosa MS
List................................................................................................. 1
Package outline............................................................................... 2
Features.......................................................................................... 2
Mechanical data............................................................................... 2
Maximum ratings ............................................................................. 2
Rating and characteristic curves........................................................ 3
Pinning information........................................................................... 4
Marking........................................................................................... 4
Suggested solder pad layout............................................................. 4
Packing information.......................................................................... 5
Reel packing.................................................................................... 6
Suggested thermal profiles for soldering processes............................. 6
High reliability test capabilities........................................................... 7
http://www.formosams.com/
TEL:886-2-22696661
FAX:886-2-22696141
Document ID
Issued Date
2009/08/10
Revised Date
2010/03/10
Revision
B
Page.
7
Page 1
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