电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1.5KE56

产品描述UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共5页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1.5KE56概述

UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1.5KE56规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压61.6 V
最小击穿电压50.4 V
击穿电压标称值56 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压80.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45.4 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
TVS
1.5KE
SERIES
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1500 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Plastic package has underwriters laboratory certificate
Glass passivated chip construction
1500 watt surage capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time
1.5KE
1.0 (25.4)
MIN.
.042 (1.07)
DIA.
.038 (0.96)
.375 (9.5)
.285 (7.2)
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
o
.210 (5.3)
.190 (4.8)
1.0 (25.4)
MIN.
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,
For capacitive load, derate current by 20%.
o
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA suffix for types 1.5KE 6.8 thru 1.5KE 450
Electrical characteristics apply in both direction
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
RATINGS
Peak Power Dissipation at T
A
= 25 C, T
P
= 1mS ( Note 1 )
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75 C lead lengths,
.375” ( 9.5 mm ) ( Note 2 )
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-
superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) unidirectional only
Maximum Instantaneous Forward Current at 50.0A for
unidirectional only ( Note 3 )
Operating and Storage Temperature Range
I
FSM
200
Amps
P
M(AV)
5.0
Watts
o
o
o
SYMBOL
P
PPM
VALUE
Minimum 1500
UNITS
Watts
V
F
T
J
, T
STG
3.5/5.0
-55 to + 150
Volts
0
C
2002-12
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
o
C per Fig.2.
2. Mounted on copper pad area of 0.8X0.8” ( 20X20mm ) per Fig.5.
3. V
F
= 3.5V for devices of V(
BR
) < 200V and V
F
= 5.0 Volts max.for devices of V(
BR
) > 200V.
【NXP Rapid IoT评测】+2. NXP Rapid IOT APP连接测试
本帖最后由 weiwei4 于 2019-1-16 01:05 编辑 NXP Rapid IOT APP 用起来真心不觉得有多好用,首先一点是上一帖里提到App对系统的兼容性有一定的问题,水果机在旧版本系统里并不能正常运 ......
weiwei4 无线连接
电阻和电容的基础知识
电阻和电容的基础知识,PPT文件。...
fengxin 分立器件
【MSP430超低功耗时钟】段式液晶资料
72589这个是我以前用的,只要在一个管脚加上100HZ的脉冲计,其它就象LED一样,不知这次能否用上。...
ddllxxrr 微控制器 MCU
PIC单片机的应用设计技巧(转)
PIC单片机的应用设计技巧(转) document.write(overlap1); 美国微芯公司(Microch{p Technology Inc.)开发的CM0S工艺PIC ......
芝锐 Microchip MCU
关于STM32F407与ZIGBEE之间的串口连接
串口是使用的USB串口吗?需要往STM32F407和ZIGBEE中烧写什么程序驱动代码呢?请大神详细赐教小弟 ...
板蓝根泡面 stm32/stm8
工作机会:驱动开发工程师(driver开发工程师)(北京)
要求: 1.计算机相关专业毕业,本科以上学历; 2.五年以上软件开发经验,三年以上NDIS驱动开发经验; 3.精通C/C++,熟悉Windows底层开发,有Linux驱动开发经验者优先; 4.有SDK、DDK开发经 ......
mowin 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 825  1973  1206  622  899  17  40  25  13  19 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved