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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> PDM41257SA10DI
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PDM41257SA10DI

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 10ns, CMOS, CDIP24
产品类别存储    存储   
文件大小328KB，共8页
制造商Paradigm Technology Inc
下载文档 详细参数 全文预览

PDM41257SA10DI概述

Standard SRAM, 256KX1, 10ns, CMOS, CDIP24

PDM41257SA10DI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Paradigm Technology Inc
包装说明DIP, DIP24,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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