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HZS18-3L

产品描述Zener Diode, 18.55V V(Z), 2.43%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, MHD, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HZS18-3L概述

Zener Diode, 18.55V V(Z), 2.43%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, MHD, 2 PIN

HZS18-3L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DO-34
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE, LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压18.55 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差2.43%
工作测试电流0.5 mA

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HZS-L Series
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application
ADE-208-121A(Z)
Rev 1
Features
Diode noise level of this series is approximately 1/3-1/10 lower than the HZ series.
Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for
stabilized power supply, etc.
Wide spectrum from 5.2V through 38V of zener voltage provide flexible application.
Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.
Ordering Information
Type No.
HZS-L Series
Mark
Type No.
Package Code
MHD
Outline
B
7
2
1
2
Type No.
Cathode band
1. Cathode
2. Anode
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