Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HN58V256ATI-12

文档预览

HN58V256ATI-12: 产品描述EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28; 产品类别存储存储; 文件大小113KB，共20页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HN58V256ATI-12概述

EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28

HN58V256ATI-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3/5 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HN58V256AI Series

256k EEPROM (32-kword

8-bit)

Wide Temperature Range version

ADE-203-616C (Z)

Rev. 3.0

Oct. 24, 1997

Description

The Hitachi HN58V256A is electrically erasable and programmable ROM organized as 32768-word

8-bit.

It has realized high speed low power consumption and high reliability by employing advanced MNOS

memory technology and CMOS process and circuitry technology. They also have a 64-byte page

programming function to make their write operations faster.

Features

•

Single 3 V supply: 2.7 to 5.5

•

Access time: 120 ns max

•

Power dissipation:



Active: 20 mW/MHz, (typ)



Standby: 110

µW

(max)

•

On-chip latches: address, data,

CE, OE, WE

•

Automatic byte write: 10 ms max

•

Automatic page write (64 bytes): 10 ms max

•

Data

polling and Toggle bit

•

Data protection circuit on power on/off

•

Conforms to JEDEC byte-wide standard

•

Reliable CMOS with MNOS cell technology

•

erase/write cycles (in page mode)

•

10 years data retention

•

Software data protection

•

Operating temperature range: –40 to 85˚C

HN58V256ATI-12相似产品对比

	HN58V256ATI-12	HN58V256AFPI-12
描述	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SO-28
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP	SOIC
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	SOP, SOP28,.4
针数	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns
命令用户界面	NO	NO
数据轮询	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm	18.3 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	28	28
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	SOP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	SOP28,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
页面大小	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	3/5 V	3/5 V
编程电压	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	2.5 mm
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.55 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
切换位	YES	YES
宽度	8 mm	8.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms

HN58V256ATI-12

HN58V256ATI-12概述

HN58V256ATI-12规格参数

文档预览

HN58V256ATI-12相似产品对比

推荐资源